前略:
http://www.wearn.com/bbs/topic.asp?whichpage=15&topic_id=233420
豬的消息 2
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http://news.ltn.com.tw/news/business/breakingnews/1295066
艾司摩爾獲美客戶採購15台EUV極紫外光設備大單
2015-04-22 21:10
台積電(2330)去年11月下單2台NXE3350B EUV系統將於今年完成出貨,已經出貨到台積電的2台NXE3300B EUV系統也將升級到新一代的NXE3350B。
奈米微縮進入十世代以後,就必須採用極紫外光(EUV)微影技術,屆時,半導體產業 半導體設備商將會進入更劇烈產業淘汰賽
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http://www.dram.com.cn/home/newsintron.asp?id=90843
DRAM將掀“1x nm”大戰!三星搶頭香、傳Q1量產
2015-12-31
日本總和情報網站Gadget速報30日轉述南韓科技媒體ETNews的報導指出,三星電子預估將在明年Q1(2016年1-3月)開始量產1x-nano(18nm)DRAM產品、且預估最遲也會在Q2量產。
報導指出,三星開始量產18nm DRAM之後,有望藉此降低制造成本、提高獲利,而三星競爭對手南韓SK Hynix和美國美光(Micron)也預估將跟隨三星腳步於2016年內量產1x nm等級的DRAM產品,也宣布DRAM將進入“1x nm”大戰。
報導並指出,目前DRAM價格持續下滑,且此種情勢在明年也將持續上演,今年(2015年)11月4GB DDR3 DRAM合約價為1.27美元、較今年1月時的價格相比驟減了49.1%。
據報導,三星在2014年搶得頭香、領先同業率先量產20nm DRAM產品,而在1X nm領域上,三星也有望拔得頭籌。
日經新聞10月12日報導,美光計劃於今後1年內對日本廣島工廠豪砸1,000億日圓資金,導入最新生產設備,量產全球最先端、采用16nm制程技術的DRAM產品,且目標為在2016年上半年確立16nm DRAM的量產技術。
日經指出,和現行20nm制程相比,采用16nm制程的每片晶圓可取得的記憶體數量將增加,預估產能將可提高2-3成,而待上述廣島工廠確立16nm DRAM量產技術之後,美光預估也會對位於日本、美國、台灣等地的工廠中的其中一座進行追加增產投資。
BusinessKorea 10月13日報導,三星、SK Hynix在量產18奈米(nm)DRAM之後,打算運用艾司摩爾 (ASML)制造的極紫外光(EUV)微影設備,目標是在2020年將DRAM制程技術逐步從15奈米進一步演進至10奈米。
報導指出,SK Hynix在今年第3季成功量產20奈米DRAM之後,將在明年第1季研發18奈米技術、希望最快能趕在明年下半年量產18奈米DRAM。
韓聯社報導,IHS宣布,今年第三季,三星電子在全球DRAM市占率達45.9%,SK Hynix占27.6%,兩者合並市占達73.5%、再創歷史新高。兩大韓廠的全球市占已經連續五季增加。
DRAM第三大廠美光市占年減4.2%至19.8%,為2013年並購爾必達(Elpida Memory)以來新低。第四名為南亞科(2408)、市占為2.8%,第五名為華邦電(2344)、市占為1.3%。