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三星半導體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半
2015-12-30 出自:快科技
華人科學家胡正明教授剛剛被美國總統奧巴馬授予2015年全美最高技術獎。
作為半導體業界的翹楚,他在采訪中談到,在25nm看到盡頭時美國政府曾向業界征集方案,胡教授之後提出了FinFET和UTB-SOI(FD-SOI),前者我們很熟悉,後者的中文名稱是“全耗盡絕緣硅”。
從技術上比較簡單的區分就是,FinFET是立體型晶體管,而FD-SOI仍是平面型。



雖然1Xnm已經進入消費領域,但是20nm遠沒有要到退出市場的地步,還有大量的產品需求。
據外媒報道,三星LSI業務總監Kelvin Low稱,他們和意法半導體合研的28nm FD-SOI已經開始投產,法國半導體公司Soitec SA提供SOI基底材料。
最大的亮點在於超低功耗,尤其是對比HKMG(後閘極,約50%+),如今物聯網(IoT)、汽車等嵌入開發對芯片的這一特性非常敏感,ST、飛思卡爾等都明確表態支持且等待排片。
當然,值得一提的是三星的“好基友”GlobalFoundries,他們在7月份全球首發了22nm FD-SOI,電壓做到了業界最低的0.4V,領先三星一年。
現在境遇不佳,屢屢被傳出收購,如果明年22nm FD-SOI供貨不理想,三星很有可能直接發怒當“接盤俠”。