現貨報價領先觸底反彈 外資唱衰雜音聽聽就好理財周刊6280



  
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相關個股:華邦電(2344)、南亞科(2408)、力積電(6770)


觀察DRAM市場實際狀況,已可看到冬去春來的景象。市場原預期農曆年後DRAM需求將放緩,但實際上回補庫存買盤持續轉強,但三大DRAM廠第一季釋出至現貨市場的貨源卻持續減少,導致DRAM顆粒現貨價在去年十二月落底反彈後持續上漲。雖然第一季標準型DRAM合約價較上季下跌七~九%,但反彈的現貨價與合約價間的溢價開始擴大,市場預期第二季合約價將可正式反彈。

正當DRAM產業景氣有望跟上NAND Flash步出谷底,外資摩根士丹利卻出具報告唱衰台灣DRAM廠,主要理由是中國競爭者長鑫存儲的十七奈米製程良率已達四○%,第二季將向客戶提供DDR4產品,且今年合肥廠的產能可能會擴大到八萬片,並在北京建新廠。另一個中國競爭者北京兆易創新也開始銷售一九奈米DRAM產品,由長鑫存儲代工。

相較台灣DRAM廠南亞科(2408)的二○奈米製程、力積電(6770)及華邦電(2344)的二五奈米製程,長鑫存儲的一七奈米製程應有更好的成本結構,新產能開出將對台廠帶來負面影響。但事實上,中國廠與台廠的競爭關係並沒有那麼大,因為中國廠專攻標準型,台廠則是專攻利基型,主要客戶、產品應用不同,中國廠產能開出對台廠實際衝擊不大。


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